Основная продукция микроэлектроники за последние десятилетия - разнообразные интегральные схемы. На протяжении достаточно длительного времени наблюдается устойчивая тенденция экспоненциального увеличения степени их интеграции, для которой, как показывает анализ, возможны три пути роста. Первый связан с уменьшением топологического размера и соответственно повышением плотности упаковки элементов на кристалле. Совершенствование технологических процессов, особенно литографии, а также процессов травления позволяло ежегодно уменьшать характерный размер на 11%. В настоящее время достигнут топологический размер 0,3-0,5 мкм, а в ряде экспериментальных работ используется топографический рисунок с еще меньшими размерами элементов. Дальнейшее уменьшение топологических размеров требует новых технологических приемов.
Увеличение площади кристалла - второй путь повышения степени интеграции. Однако получение бездефектных кристаллов больших размеров - весьма сложная технологическая задача. Наличие же дефектов резко снижает процент выхода годных и увеличивает стоимость интегральной схемы.
Третий путь заключается в оптимизации конструктивных приемов компоновки элементов.
Предполагается, что на базе современной технологии при изготовлении интегральной схемы на монолитном кремнии может быть достигнута степень интеграции до 107 элементов на кристалл. Совсем недавно японская фирма "Хитачи" разработала новую серию 32-разрядного однокристального микропроцессора, содержащего 450 000 транзисторов.
Разработчики интегральных схем ищут способы преодоления технологических и физических барьеров на пути повышения степени интеграции. Разрабатываются вертикальные структуры, открывающие определенные перспективы трехмерной интеграции. Проводятся работы по компоновке на одной пластине десятков микропроцессорных больших интегральных схем запоминающих устройств. Разрабатываются ультрабольшие и гигантские интегральные схемы.
За последние десятилетия число активных и пассивных элементов на одном полупроводниковом кристалле возросло от нескольких десятков до сотен тысяч. Это привело к тому, что характерные размеры элементов интегральных схем становятся близкими к микрометру. Такие схемы используются в сложной малогабаритной электронной аппаратуре, предназначенной для роботов и гибких автоматизированных производств, космических комплексов, систем связи и радиолокационной техники.
Однако вскоре стало ясно, что переход к еще меньшим размерам элементов требует нового подхода. При получении размеров топологических элементов менее 1 мкм возникают принципиальные трудности физического и технологического характера, свойственные лишь субмикронной микроэлектронике. Эта область электроники получила развитие в качестве самостоятельного научного направления в начале 80-х годов. С уменьшением размеров элементов пришлось отказаться от ряда традиционных технологических операций. Так как длина волны света стала препятствием на пути миниатюризации, фотографию заменили электронной, ионной и рентгеновской литографией. Диффузионные процессы заменили ионной и электронно-стимулированной имплантацией. Термическое испарение и отжиг материала заменили ионно-лучевым, ионно-плазменным, электроннолучевым: появилась возможность локального воздействия на поверхность полупроводникового кристалла, когда кристалл в целом остается холодным.
Прочие статьи:
Эволюция и структурная организация Вселенной
Вселенная – окружающий нас мир, бесконечный в пространстве, во времени и по многообразию форм заполняющего его вещества и его превращений.
Мир един, гармоничен и одновременно имеет многоуровневую организацию. Вселенная – это мегамир. Нет ...
Ранняя эволюция птиц
С точки зрения современной науки, ранняя эволюция птиц выглядит очень запутанной и сложной. Диверсификация, или эволюционное разделение на множество разнообразных форм, началось в меловом периоде. Многие из этих форм, в том числе и предки ...
Вывод
Жизнь индивидуального организма - стабилизированный векторный (имеющий итоговое направление изменения) поток, изменяющий свои характеристики со временем. Онтогенез - процесс в развитии жизни в целом и противодействие старению, всегда подр ...